2DA1213Y-13
참조 용
| 부품 번호 | 2DA1213Y-13 |
| PNEDA 부품 번호 | 2DA1213Y-13 |
| 설명 | TRANS PNP 50V 2A SOT89-3 |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,500 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2DA1213Y-13 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2DA1213Y-13 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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2DA1213Y-13 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | PNP |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 2A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 50V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 100nA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
| 전력-최대 | 1W |
| 주파수-전환 | 160MHz |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-243AA |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-89-3 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic - 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전력-최대 - 주파수-전환 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V 전력-최대 900mW 주파수-전환 120MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지 TO-92MOD |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대) 1.2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1.5V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 10000 @ 100mA, 5V 전력-최대 625mW 주파수-전환 100MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
