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2EZ200DE3/TR12

2EZ200DE3/TR12

참조 용

부품 번호 2EZ200DE3/TR12
PNEDA 부품 번호 2EZ200DE3-TR12
설명 DIODE ZENER 200V 2W DO204AL
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,246
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2EZ200DE3/TR12 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2EZ200DE3/TR12
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
2EZ200DE3/TR12, 2EZ200DE3/TR12 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 157.57 KB)
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  • 2EZ200DE3/TR12 Distributor

2EZ200DE3/TR12 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)200V
공차±20%
전력-최대2W
임피던스 (최대) (Zzt)900 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 152V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)

관심을 가질만한 제품

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

40 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

11.2mA @ 50mV

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 100mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N5242C-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

12V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 9.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

MMSZ4698-HE3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 8.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

MMSZ4681-G3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.4V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

BZD17C6V2P-E3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.2V

공차

-

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

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DO-219AB (SMF)

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