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2EZ6.8D2/TR8

2EZ6.8D2/TR8

참조 용

부품 번호 2EZ6.8D2/TR8
PNEDA 부품 번호 2EZ6-8D2-TR8
설명 DIODE ZENER 6.8V 2W DO204AL
제조업체 Microsemi
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재고 있음 2,520
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2EZ6.8D2/TR8 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2EZ6.8D2/TR8
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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2EZ6.8D2/TR8 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)6.8V
공차±2%
전력-최대2W
임피던스 (최대) (Zzt)2 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 4V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)

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Microsemi Corporation

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5.1V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1.5 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

1N3015A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

200V

공차

±5%

전력-최대

10W

임피던스 (최대) (Zzt)

300 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 152V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 2A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-213AA

1N755ATR

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

7.5V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

6 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

TLZ3V6B-GS18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.6V

공차

-

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

60 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

SOD-80 MiniMELF

BZX79-B4V3,113

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.3V

공차

±2%

전력-최대

400mW

임피던스 (최대) (Zzt)

90 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

ALF2

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