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2M120ZHR0G

2M120ZHR0G

참조 용

부품 번호 2M120ZHR0G
PNEDA 부품 번호 2M120ZHR0G
설명 DIODE ZENER 120V 2W DO204AC
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
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재고 있음 4,374
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2M120ZHR0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2M120ZHR0G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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2M120ZHR0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)120V
공차±5%
전력-최대2W
임피던스 (최대) (Zzt)325 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 91.2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AC (DO-15)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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47V

공차

±5%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

160 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

45nA @ 33V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-90, SOD-323F

공급자 장치 패키지

SOD-323F

JANTXV1N978C-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/117

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

125 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 39V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

JANTX1N3826C-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/115

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±2%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

1N5281B TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

200V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

2.5 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 152V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35A

1N5363AE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

30V

공차

±10%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 21.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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