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2N3507AU4

2N3507AU4

참조 용

부품 번호 2N3507AU4
PNEDA 부품 번호 2N3507AU4
설명 NPN TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
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재고 있음 6,264
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N3507AU4 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N3507AU4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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2N3507AU4 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/349
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.5V @ 250mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대)1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 1.5A, 2V
전력-최대1W
주파수-전환-
작동 온도-65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지U4

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65V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

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작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

390 @ 500mA, 6V

전력-최대

2W

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PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BD13516S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

전력-최대

1.25W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-126-3

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 100mA, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 3V

전력-최대

100W

주파수-전환

-

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