2N4123TAR
참조 용
| 부품 번호 | 2N4123TAR |
| PNEDA 부품 번호 | 2N4123TAR |
| 설명 | TRANS NPN 30V 0.2A TO-92 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,910 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 27 - 5월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2N4123TAR 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2N4123TAR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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2N4123TAR 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 200mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 30V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 50nA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 50 @ 2mA, 1V |
| 전력-최대 | 625mW |
| 주파수-전환 | 250MHz |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| 공급자 장치 패키지 | TO-92-3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 700mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 15 @ 1A, 4V 전력-최대 2W 주파수-전환 - 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic - 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전력-최대 - 주파수-전환 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Micro Commercial Co 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V 전력-최대 225mW 주파수-전환 - 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23 |
