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2N5088TA

2N5088TA

참조 용

부품 번호 2N5088TA
PNEDA 부품 번호 2N5088TA
설명 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,862
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N5088TA 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N5088TA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2N5088TA, 2N5088TA 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 209.9 KB)
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2N5088TA 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce300 @ 100µA, 5V
전력-최대625mW
주파수-전환50MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 1mA, 6V

전력-최대

250mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92

PBSS302PZ,135

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

5.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

265mV @ 275mA, 5.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2A, 2V

전력-최대

2W

주파수-전환

130MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SC-73

FZT957TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

240mV @ 300mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 10V

전력-최대

3W

주파수-전환

85MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

US6T5TR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

370mV @ 75mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

270 @ 200mA, 2V

전력-최대

400mW

주파수-전환

280MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

TUMT6

KSD363O

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 1A, 5V

전력-최대

40W

주파수-전환

10MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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