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2N5115UB

2N5115UB

참조 용

부품 번호 2N5115UB
PNEDA 부품 번호 2N5115UB
설명 P CHANNEL JFET
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,348
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 21 - 4월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N5115UB 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N5115UB
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET

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  • 2N5115UB Distributor

2N5115UB 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500
FET 유형P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)30V
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)60mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id6V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds25pF @ 15V
저항-RDS (켜짐)100 Ohms
전력-최대500mW
작동 온도-65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지UB

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

100 Ohms

전력-최대

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작동 온도

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Surface Mount

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30mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

5V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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30 Ohms

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

7mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

3V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

125 Ohms

전력-최대

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23 (TO-236AB)

PN4302

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500µA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

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5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

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