2N5116
참조 용
| 부품 번호 | 2N5116 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | 2N5116_243 | ||||||||||||||||||
| 설명 | JFET P-CH 30V TO-18 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Vishay Siliconix | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 2,236 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
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2N5116 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2N5116 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
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- 2N5116 Distributor
2N5116 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | - |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | - |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | - |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 저항-RDS (켜짐) | - |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| 공급자 장치 패키지 | TO-206AA (TO-18) |
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제조업체 Panasonic Electronic Components 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 107µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대 2mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 100mW 작동 온도 -20°C ~ 80°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-723 공급자 장치 패키지 SSSMini3-F1 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 4V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐) 30 Ohms 전력-최대 625mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
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제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 * FET 유형 - 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) - 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
