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2N5547JTXV01

2N5547JTXV01

참조 용

부품 번호 2N5547JTXV01
PNEDA 부품 번호 2N5547JTXV01
설명 JFET N-CH 50V TO-71
제조업체 Vishay Siliconix
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2N5547JTXV01 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N5547JTXV01
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET

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2N5547JTXV01 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형-
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)-
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-71-6
공급자 장치 패키지TO-71

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

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전류 드레인 (Id)-최대

50mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1.8V @ 100µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

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ON Semiconductor

시리즈

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30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

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전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

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200µA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

300mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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Central Semiconductor Corp

시리즈

*

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-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

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전류 드레인 (Id)-최대

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