2N5770_D27Z
참조 용
| 부품 번호 | 2N5770_D27Z |
| PNEDA 부품 번호 | 2N5770_D27Z |
| 설명 | RF TRANS NPN 15V TO92-3 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,028 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2N5770_D27Z 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2N5770_D27Z |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
| 데이터 시트 |
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2N5770_D27Z 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 15V |
| 주파수-전환 | - |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | 6dB @ 60MHz |
| 이득 | 15dB |
| 전력-최대 | 350mW |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 50 @ 8mA, 10V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 50mA |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| 공급자 장치 패키지 | TO-92-3 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 15V 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 4.5dB @ 450MHz 이득 21dB 전력-최대 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대) 40mA 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지 UB |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 16V 주파수-전환 450MHz ~ 512MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 10dB 전력-최대 25W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 10 @ 200mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대) 2A 작동 온도 200°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 M123 공급자 장치 패키지 M123 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 15V 주파수-전환 1.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 14dB ~ 26dB 전력-최대 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 20 @ 8mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
