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2N5885

2N5885

참조 용

부품 번호 2N5885
PNEDA 부품 번호 2N5885_5E
설명 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,444
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N5885 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N5885
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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2N5885 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
트랜지스터 유형-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전력-최대-
주파수-전환-
작동 온도-
장착 유형-
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40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

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15V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

400nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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225mW

주파수-전환

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작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

2µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

전력-최대

25W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

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TO-126-3

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20000 @ 100mA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

125MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

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