2N6676
참조 용
| 부품 번호 | 2N6676 |
| PNEDA 부품 번호 | 2N6676 |
| 설명 | PNP TRANSISTOR |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,048 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2N6676 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2N6676 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
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2N6676 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | * |
| 트랜지스터 유형 | - |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | - |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | - |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | - |
| 전류-수집기 차단 (최대) | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | - |
| 전력-최대 | - |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 600mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 10V 전력-최대 7W 주파수-전환 150MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지 TO-126-3 |
