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2N6989UTX

2N6989UTX

참조 용

부품 번호 2N6989UTX
PNEDA 부품 번호 2N6989UTX
설명 TRANS 4NPN 50V 0.8A SMT
제조업체 TT Electronics/Optek Technology
단가 견적 요청
재고 있음 3,870
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N6989UTX 리소스

브랜드 TT Electronics/Optek Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N6989UTX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
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PDF2N6989UTX 데이터 시트 표지
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  • 2N6989UTX Distributor

2N6989UTX 사양

제조업체TT Electronics/Optek Technology
시리즈-
트랜지스터 유형4 NPN (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대)800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 10V
전력-최대1W
주파수-전환-
작동 온도-65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스20-CLCC
공급자 장치 패키지20-CLCC

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7 NPN Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

16-CDIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

16-CDIP

JANTXV2N2060L

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

전력-최대

2.12W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-78-6 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-78-6

ULN2003BDR

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

트랜지스터 유형

7 NPN Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

CMXT2907A TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

350mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

SOT-26

HN1B04F(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN, PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 100mA, 1V

전력-최대

300mW

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