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2N7002VA-7-F

2N7002VA-7-F

참조 용

부품 번호 2N7002VA-7-F
PNEDA 부품 번호 2N7002VA-7-F
설명 MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
제조업체 Diodes Incorporated
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N7002VA-7-F 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N7002VA-7-F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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  • 2N7002VA-7-F Distributor

2N7002VA-7-F 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)280mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 25V
전력-최대150mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SOT-563

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A, 2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

190pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

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장착 유형

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V, 30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 40µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

123nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6100pF @ 25V

전력-최대

69W, 96W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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NTQD6866R2

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

32mOhm @ 6.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 16V

전력-최대

940mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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BSM080D12P2C008

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Rohm Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 13.2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

800pF @ 10V

전력-최대

600W

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

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