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2N7002WT3G

2N7002WT3G

참조 용

부품 번호 2N7002WT3G
PNEDA 부품 번호 2N7002WT3G
설명 MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-323
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 5,112
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N7002WT3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N7002WT3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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2N7002WT3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)310mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.7nC @ 4.5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds24.5pF @ 20V
FET 기능-
전력 손실 (최대)280mW (Tj)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SC-70-3 (SOT323)
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323

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시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

62A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

52mOhm @ 31A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

104nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5940pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

780W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247

패키지 / 케이스

TO-247-3

SUM50P10-42-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4600pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

18.8W (Ta), 125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263 (D2Pak)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

QS5U36TR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

81mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

280pF @ 10V

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 손실 (최대)

1.25W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TSMT5

패키지 / 케이스

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

STL16N65M5

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

299mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1250pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 90W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

57A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 34A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1690pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

92W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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