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2N930

2N930

참조 용

부품 번호 2N930
PNEDA 부품 번호 2N930
설명 TRANS NPN 45V 0.03A TO18
제조업체 Microsemi
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재고 있음 7,110
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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2N930 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N930
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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2N930 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)2nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 10µA, 5V
전력-최대300mW
주파수-전환-
작동 온도-55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지TO-18 (TO-206AA)

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시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 200mA, 2V

전력-최대

2W

주파수-전환

120MHz

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Nexperia

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

전력-최대

200mW

주파수-전환

80MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

BC516_D75Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30000 @ 20mA, 2V

전력-최대

625mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2SD16400Q

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

4000 @ 1A, 10V

전력-최대

1.2W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-126B-A1

BC32725BU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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JAN2N2222A

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Microsemi

TRANS NPN 50V 0.8A