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2PA1015GR,126

2PA1015GR,126

참조 용

부품 번호 2PA1015GR,126
PNEDA 부품 번호 2PA1015GR-126
설명 TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,244
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 25 - 6월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2PA1015GR 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2PA1015GR,126
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2PA1015GR, 2PA1015GR 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 50.88 KB)
PDF2PA1015Y 데이터 시트 표지
2PA1015Y 데이터 시트 페이지 2 2PA1015Y 데이터 시트 페이지 3 2PA1015Y 데이터 시트 페이지 4 2PA1015Y 데이터 시트 페이지 5 2PA1015Y 데이터 시트 페이지 6

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2PA1015GR 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 6V
전력-최대500mW
주파수-전환80MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 500mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

14 @ 500mA, 2V

전력-최대

20W

주파수-전환

4MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-126-3

MJH11021G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

250V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

4V @ 150mA, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

400 @ 10A, 5V

전력-최대

150W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

PBSS9110Y,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

320mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 500mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

400nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 1V

전력-최대

500mW

주파수-전환

500MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BD241TU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.2V @ 600mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

300µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 1A, 4V

전력-최대

40W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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