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2SA1955FVBTPL3Z

2SA1955FVBTPL3Z

참조 용

부품 번호 2SA1955FVBTPL3Z
PNEDA 부품 번호 2SA1955FVBTPL3Z
설명 TRANS PNP 12V 0.4A VESM
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
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예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SA1955FVBTPL3Z 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SA1955FVBTPL3Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SA1955FVBTPL3Z, 2SA1955FVBTPL3Z 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 237.15 KB)
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  • 2SA1955FVBTPL3Z Distributor

2SA1955FVBTPL3Z 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)400mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce300 @ 10mA, 2V
전력-최대100mW
주파수-전환130MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-723
공급자 장치 패키지VESM

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150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

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10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 500mV

전력-최대

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