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2SA949-Y(TE6,F,M)

2SA949-Y(TE6,F,M)

참조 용

부품 번호 2SA949-Y(TE6,F,M)
PNEDA 부품 번호 2SA949-Y-TE6-F-M
설명 TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 4,626
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SA949-Y(TE6 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SA949-Y(TE6,F,M)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SA949-Y(TE6, 2SA949-Y(TE6 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 130.14 KB)
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2SA949-Y(TE6 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic800mV @ 1mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 10mA, 5V
전력-최대800mW
주파수-전환120MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지TO-92MOD

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 100mA, 1V

전력-최대

1W

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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전류-수집기 차단 (최대)

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 5V

전력-최대

40W

주파수-전환

10MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

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전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 400mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 4A, 5V

전력-최대

100W

주파수-전환

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작동 온도

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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100nA (ICBO)

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