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2SAR553P5T100

2SAR553P5T100

참조 용

부품 번호 2SAR553P5T100
PNEDA 부품 번호 2SAR553P5T100
설명 PNP -50V -2A MEDIUM POWER TRANSI
제조업체 Rohm Semiconductor
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2SAR553P5T100 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SAR553P5T100
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
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PDF2SAR553P5T100 데이터 시트 표지
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2SAR553P5T100 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic400mV @ 35mA, 700mA
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce180 @ 50mA, 2V
전력-최대500mW
주파수-전환320MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-243AA
공급자 장치 패키지MPT3

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100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

250V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.2V @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 40mA, 20V

전력-최대

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주파수-전환

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Through Hole

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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1W

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작동 온도

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전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 30mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 1.5A, 3V

전력-최대

40W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

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TO-126-3

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

17A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

250V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 800mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

5µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

55 @ 1A, 5V

전력-최대

50W

주파수-전환

30MHz

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

20nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 2mA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

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작동 온도

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