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2SB1237TV2P

2SB1237TV2P

참조 용

부품 번호 2SB1237TV2P
PNEDA 부품 번호 2SB1237TV2P
설명 TRANS PNP 32V 1A ATV
제조업체 Rohm Semiconductor
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2SB1237TV2P 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SB1237TV2P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
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  • 2SB1237TV2P Distributor

2SB1237TV2P 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce82 @ 100mA, 3V
전력-최대1W
주파수-전환150MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스3-SIP
공급자 장치 패키지ATV

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PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

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50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 300mA, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 270mA, 2V

전력-최대

25W

주파수-전환

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작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 1.25mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 1V

전력-최대

3W

주파수-전환

-

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

전력-최대

290mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1123

공급자 장치 패키지

SOT-1123

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

2000 @ 1A, 2V

전력-최대

900mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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제조업체

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-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 5V

전력-최대

900mW

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