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2SB1259

2SB1259

참조 용

부품 번호 2SB1259
PNEDA 부품 번호 2SB1259
설명 TRANS PNP DARL 120V 10A TO220F
제조업체 Sanken
단가 견적 요청
재고 있음 12,900
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SB1259 리소스

브랜드 Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SB1259
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SB1259, 2SB1259 데이터 시트 (총 페이지: 1, 크기: 30.84 KB)
PDF2SB1259 데이터 시트 표지

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2SB1259 사양

제조업체Sanken
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.5V @ 10mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대)10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce2000 @ 5A, 4V
전력-최대30W
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220F

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3.5V @ 3A, 7A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 2.5A, 4V

전력-최대

40W

주파수-전환

4MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 100µA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

50MHz

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Through Hole

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ON Semiconductor

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ON Semiconductor

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

350mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Microsemi

제조업체

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 1V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

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전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

전력-최대

250mW

주파수-전환

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작동 온도

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