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2SB1457(T6DW,F,M)

2SB1457(T6DW,F,M)

참조 용

부품 번호 2SB1457(T6DW,F,M)
PNEDA 부품 번호 2SB1457-T6DW-F-M
설명 TRANS PNP 2A 100V TO226-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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2SB1457(T6DW 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SB1457(T6DW,F,M)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SB1457(T6DW, 2SB1457(T6DW 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 170.61 KB)
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2SB1457(T6DW 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.5V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce2000 @ 1A, 2V
전력-최대900mW
주파수-전환50MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지TO-92MOD

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100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

전력-최대

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주파수-전환

100MHz

작동 온도

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Surface Mount

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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ON Semiconductor

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시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

200V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

370mV @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 5V

전력-최대

3W

주파수-전환

110MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

800mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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