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2SB315B-DIM800DDM12-A000

2SB315B-DIM800DDM12-A000

참조 용

부품 번호 2SB315B-DIM800DDM12-A000
PNEDA 부품 번호 2SB315B-DIM800DDM12-A000
설명 MOD GATE DVR DIM800DDM12-A000
제조업체 Power Integrations
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2SB315B-DIM800DDM12-A000 리소스

브랜드 Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SB315B-DIM800DDM12-A000
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
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2SB315B-DIM800DDM12-A000 사양

제조업체Power Integrations
시리즈SCALE™-1
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Single
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급0V ~ 16V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-
입력 유형-
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)-
작동 온도-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
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전류-피크 출력 (소스, 싱크)

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입력 유형

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입력 유형

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높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

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상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

작동 온도

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구동 구성

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채널 유형

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드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 15ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 12ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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시리즈

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구동 구성

High-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.7A, 2.4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

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