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2SB772

2SB772

참조 용

부품 번호 2SB772
PNEDA 부품 번호 2SB772
설명 TRANS PNP 30V 3A SOT32
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 2,916
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SB772 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SB772
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SB772, 2SB772 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 105.61 KB)
PDF2SB772 데이터 시트 표지
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2SB772 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.1V @ 150mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대)100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 2V
전력-최대12.5W
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지SOT-32-3

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ON Semiconductor

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500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20000 @ 100mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

125MHz

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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TO-92-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

50µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 400mA, 10V

전력-최대

25W

주파수-전환

5MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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Central Semiconductor Corp

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-

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PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 3A, 4V

전력-최대

1.56W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

BC 846A E6433

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

전력-최대

330mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 2mA, 10V

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