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2SC0108T2F1-17

2SC0108T2F1-17

참조 용

부품 번호 2SC0108T2F1-17
PNEDA 부품 번호 2SC0108T2F1-17
설명 IC DUAL GATE DRIVER 8A
제조업체 Power Integrations
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SC0108T2F1-17 리소스

브랜드 Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC0108T2F1-17
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
2SC0108T2F1-17, 2SC0108T2F1-17 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 239.91 KB)
PDF2SC0108T2F1-17 데이터 시트 표지
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2SC0108T2F1-17 사양

제조업체Power Integrations
시리즈SCALE™-2
구동 구성High-Side or Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT
전압-공급14.5V ~ 15.5V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)8A, 8A
입력 유형-
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)1700V
상승 / 하강 시간 (일반)17ns, 15ns
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Microchip Technology

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구동 구성

Low-Side

채널 유형

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게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.2A, 1.2A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 15ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

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시리즈

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구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.7V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

200V

상승 / 하강 시간 (일반)

35ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MIC4604YM-T5

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

5.25V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IR2110STR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

3.3V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

6V, 9.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

500V

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 17ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

ISL6612IR

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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