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2SC4915-O,LF

2SC4915-O,LF

참조 용

부품 번호 2SC4915-O,LF
PNEDA 부품 번호 2SC4915-O-LF
설명 RF TRANS NPN 30V 550MHZ SSM
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 7,128
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예상 배송 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SC4915-O 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC4915-O,LF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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2SC4915-O 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
주파수-전환550MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)2.3dB ~ 5dB @ 100MHz
이득17dB ~ 23dB
전력-최대100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대)20mA
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지SSM

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

2GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

이득

15dB

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

MAX2602ESA+T

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제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

1GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

이득

11.6dB

전력-최대

6.4W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 250mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.2A

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

1014-12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

주파수-전환

1GHz ~ 1.4GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

6.8dB

전력-최대

39W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 200mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

55LT

공급자 장치 패키지

55LT

MS2554

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

주파수-전환

1.025GHz ~ 1.15GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

6.2dB

전력-최대

600W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

17.8A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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