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2SC5084YTE85LF

2SC5084YTE85LF

참조 용

부품 번호 2SC5084YTE85LF
PNEDA 부품 번호 2SC5084YTE85LF
설명 RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC59
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 17,244
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 3 - 3월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SC5084YTE85LF 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC5084YTE85LF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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  • 2SC5084YTE85LF Distributor

2SC5084YTE85LF 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
주파수-전환7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
이득11dB
전력-최대150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대)80mA
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SC-59

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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주파수-전환

4GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

1W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 100mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SOT-89-3

MS2473

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

주파수-전환

1.09GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

6dB

전력-최대

2300W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

5 @ 1A, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

46A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

M112

공급자 장치 패키지

M112

BFP460H6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5.8V

주파수-전환

22GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz

이득

12.5dB ~ 26.5dB

전력-최대

230mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

PG-SOT343-4

2SC5086-O,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

이득

-

전력-최대

100mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 20mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

공급자 장치 패키지

SSM

1015MP

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

주파수-전환

1.025GHz ~ 1.15GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

10dB ~ 11dB

전력-최대

50W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

55FW

공급자 장치 패키지

55FW

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