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2SC5084YTE85LF

2SC5084YTE85LF

참조 용

부품 번호 2SC5084YTE85LF
PNEDA 부품 번호 2SC5084YTE85LF
설명 RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC59
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 17,244
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 17 - 4월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SC5084YTE85LF 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC5084YTE85LF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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  • 2SC5084YTE85LF Distributor

2SC5084YTE85LF 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
주파수-전환7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
이득11dB
전력-최대150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대)80mA
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SC-59

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

주파수-전환

1.09GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

6dB

전력-최대

2300W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

5 @ 1A, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

46A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

M112

공급자 장치 패키지

M112

BFR 92W E6327

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

이득

11.5dB ~ 17dB

전력-최대

280mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45mA

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

PG-SOT323-3

SD1019

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

35V

주파수-전환

136MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

4.5dB

전력-최대

117W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

5 @ 500mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

9A

작동 온도

200°C

장착 유형

Stud Mount

패키지 / 케이스

M130

공급자 장치 패키지

M130

BFU530VL

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

11GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

이득

15.5dB

전력-최대

450mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40mA

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

800MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

6dB @ 200MHz

이득

24dB

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 5mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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