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2SC5201(T6MURATAFM

2SC5201(T6MURATAFM

참조 용

부품 번호 2SC5201(T6MURATAFM
PNEDA 부품 번호 2SC5201-T6MURATAFM
설명 TRANS NPN 50MA 600V TO226-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 3,834
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2SC5201(T6MURATAFM 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC5201(T6MURATAFM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
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  • 2SC5201(T6MURATAFM Distributor

2SC5201(T6MURATAFM 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 500mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 20mA, 5V
전력-최대900mW
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지TO-92MOD

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

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100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 10V

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80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 2.5A, 5V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

전력-최대

800mW

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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