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2SCR554P5T100

2SCR554P5T100

참조 용

부품 번호 2SCR554P5T100
PNEDA 부품 번호 2SCR554P5T100
설명 NPN 80V 1.5A MEDIUM POWER TRANSI
제조업체 Rohm Semiconductor
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2SCR554P5T100 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SCR554P5T100
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
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PDF2SCR554P5T100 데이터 시트 표지
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2SCR554P5T100 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 25mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 100mA, 3V
전력-최대500mW
주파수-전환300MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-243AA
공급자 장치 패키지MPT3

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40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 125mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

300µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 4V

전력-최대

2W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

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PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 12mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 3A, 3V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

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Infineon Technologies

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

전력-최대

250mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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SC-70, SOT-323

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STMicroelectronics

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트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.8V @ 250mA, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 5A, 10V

전력-최대

175W

주파수-전환

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