2SD1685G
참조 용
| 부품 번호 | 2SD1685G |
| PNEDA 부품 번호 | 2SD1685G |
| 설명 | TRANS NPN 20V 5A TO-126ML |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,894 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 27 - 1월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2SD1685G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2SD1685G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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2SD1685G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 5A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 20V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 500mV @ 60mA, 3A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 100nA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 280 @ 500mA, 2V |
| 전력-최대 | 1.5W |
| 주파수-전환 | 120MHz |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-126ML |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/399 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대) 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 1V 전력-최대 400mW 주파수-전환 - 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지 UB |
