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2SD1757KT146Q

2SD1757KT146Q

참조 용

부품 번호 2SD1757KT146Q
PNEDA 부품 번호 2SD1757KT146Q
설명 TRANS NPN 15V 0.5A SOT-346
제조업체 Rohm Semiconductor
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2SD1757KT146Q 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SD1757KT146Q
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SD1757KT146Q, 2SD1757KT146Q 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 1,268.05 KB)
PDF2SD1757KT146S 데이터 시트 표지
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2SD1757KT146Q 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic400mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 100mA, 3V
전력-최대200mW
주파수-전환150MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SMT3

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65V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

380mV @ 300mA, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 2A, 1V

전력-최대

15W

주파수-전환

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작동 온도

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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전력-최대

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주파수-전환

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작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

140 @ 2mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

4000 @ 1A, 10V

전력-최대

1.2W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

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15nA

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