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2SD2656FRAT106

2SD2656FRAT106

참조 용

부품 번호 2SD2656FRAT106
PNEDA 부품 번호 2SD2656FRAT106
설명 NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR (COR
제조업체 Rohm Semiconductor
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2SD2656FRAT106 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SD2656FRAT106
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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2SD2656FRAT106 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic350mV @ 25mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce270 @ 100mA, 2V
전력-최대200mW
주파수-전환400MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지UMT3

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

750mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 2mA, 10V

전력-최대

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ON Semiconductor

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-

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 80mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 3A, 4V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

PHPT61010PYX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

800mV @ 1A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

180 @ 500mA, 2V

전력-최대

1.5W

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Nexperia

제조업체

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

350mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

210 @ 1A, 2V

전력-최대

430mW

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