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2SD2656FRAT106

2SD2656FRAT106

참조 용

부품 번호 2SD2656FRAT106
PNEDA 부품 번호 2SD2656FRAT106
설명 NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR (COR
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
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2SD2656FRAT106 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SD2656FRAT106
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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  • 2SD2656FRAT106 Distributor

2SD2656FRAT106 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic350mV @ 25mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce270 @ 100mA, 2V
전력-최대200mW
주파수-전환400MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지UMT3

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100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 2mA, 10V

전력-최대

225mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 30mA, 300mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 150mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

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시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

800mV @ 1A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

180 @ 500mA, 2V

전력-최대

1.5W

주파수-전환

90MHz

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-100, SOT-669

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

KSA1015YBU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

전력-최대

400mW

주파수-전환

80MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

KSB564AGTA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 1V

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