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2SD667-B-AP

2SD667-B-AP

참조 용

부품 번호 2SD667-B-AP
PNEDA 부품 번호 2SD667-B-AP
설명 TRANSISTOR TO-92 MOD
제조업체 Micro Commercial Co
단가 견적 요청
재고 있음 3,852
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SD667-B-AP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SD667-B-AP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SD667-B-AP, 2SD667-B-AP 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 356.13 KB)
PDF2SD667-C-AP 데이터 시트 표지
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2SD667-B-AP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce60 @ 150mA, 5V
전력-최대900mW
주파수-전환140MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92MOD

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 100mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

전력-최대

1.5W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-126ML

KSC2328AYBU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 30mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 500mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BCX70HE6327HTSA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

20nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 5V

전력-최대

330mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

BC559ABU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

JANTXV2N3635UB

Microsemi

제조업체

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

140V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

전력-최대

1.5W

주파수-전환

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