Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

2SJ601(0)-Z-E1-AZ

2SJ601(0)-Z-E1-AZ

참조 용

부품 번호 2SJ601(0)-Z-E1-AZ
PNEDA 부품 번호 2SJ601-0-Z-E1-AZ
설명 TRANSISTOR
제조업체 Renesas Electronics America
단가 견적 요청
재고 있음 5,526
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SJ601(0)-Z-E1-AZ 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SJ601(0)-Z-E1-AZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
2SJ601(0)-Z-E1-AZ, 2SJ601(0)-Z-E1-AZ 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 232.82 KB)
PDF2SJ601(0)-Z-E1-AZ 데이터 시트 표지
2SJ601(0)-Z-E1-AZ 데이터 시트 페이지 2 2SJ601(0)-Z-E1-AZ 데이터 시트 페이지 3 2SJ601(0)-Z-E1-AZ 데이터 시트 페이지 4 2SJ601(0)-Z-E1-AZ 데이터 시트 페이지 5 2SJ601(0)-Z-E1-AZ 데이터 시트 페이지 6 2SJ601(0)-Z-E1-AZ 데이터 시트 페이지 7 2SJ601(0)-Z-E1-AZ 데이터 시트 페이지 8 2SJ601(0)-Z-E1-AZ 데이터 시트 페이지 9 2SJ601(0)-Z-E1-AZ 데이터 시트 페이지 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

  • 신속한 대응

    저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.

  • 보장 된 품질

    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

  • 글로벌 액세스

    전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.

Hot search vocabulary

  • 2SJ601(0)-Z-E1-AZ Datasheet
  • where to find 2SJ601(0)-Z-E1-AZ
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America 2SJ601(0)-Z-E1-AZ
  • 2SJ601(0)-Z-E1-AZ PDF Datasheet
  • 2SJ601(0)-Z-E1-AZ Stock

  • 2SJ601(0)-Z-E1-AZ Pinout
  • Datasheet 2SJ601(0)-Z-E1-AZ
  • 2SJ601(0)-Z-E1-AZ Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • 2SJ601(0)-Z-E1-AZ Price
  • 2SJ601(0)-Z-E1-AZ Distributor

2SJ601(0)-Z-E1-AZ 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형-
기술-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
공급자 장치 패키지-
패키지 / 케이스-

관심을 가질만한 제품

IRFR3711ZPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

93A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.45V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2160pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

79W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TSM2305CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

990pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.25W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5900pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

350W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

DMT10H015LFG-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta), 42A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1871pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta), 35W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerDI3333-8

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.15mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.95V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3310pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

141W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

패키지 / 케이스

SC-100, SOT-669

최근 판매

MAX202EEUE

MAX202EEUE

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

FDV303N

FDV303N

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

ADM3310EACPZ

ADM3310EACPZ

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 3/5 32LFCSP

SSC54HE3_A/H

SSC54HE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB

LT8609SEV#PBF

LT8609SEV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 16LQFN

WSL251200000ZEA9

WSL251200000ZEA9

Vishay Dale

RES 0 OHM JUMPER 2512

LM1458M

LM1458M

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

NC7SZ125M5X

NC7SZ125M5X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SOT23-5

MIC2025-1YM

MIC2025-1YM

Microchip Technology

IC SW DISTRIBUTION 1CHAN 8SOIC

APT1608F3C

APT1608F3C

Kingbright

EMITTER IR 940NM 50MA 603

CP2103-GMR

CP2103-GMR

Silicon Labs

IC CTRLR BRIDGE USB-UART 28MLP

MIC2026-2YM

MIC2026-2YM

Microchip Technology

IC PW DIST SW DUAL 8SOIC