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2SK1070PICTL-E

2SK1070PICTL-E

참조 용

부품 번호 2SK1070PICTL-E
PNEDA 부품 번호 2SK1070PICTL-E
설명 JFET N-CH MPAK
제조업체 Renesas Electronics America
단가
1 ---------- $2.5710
250 ---------- $2.4505
500 ---------- $2.3300
1,000 ---------- $2.2095
2,500 ---------- $2.1090
5,000 ---------- $2.0086
재고 있음 2,033
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2SK1070PICTL-E 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK1070PICTL-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
2SK1070PICTL-E, 2SK1070PICTL-E 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 141.91 KB)
PDF2SK1070PIETR-E 데이터 시트 표지
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  • 2SK1070PICTL-E Price
  • 2SK1070PICTL-E Distributor

2SK1070PICTL-E 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)22V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)12mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id0V @ 10µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds9pF @ 5V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대150mW
작동 온도150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지3-MPAK

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전류 드레인 (Id)-최대

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전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

3V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

25mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

6V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

27pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

100 Ohms

전력-최대

500mW

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Through Hole

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ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

400mV @ 100nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8.2pF @ 0V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

P1086

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

10V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

45pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

75 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

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전류 드레인 (Id)-최대

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