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2SK3377(0)-Z-E1-AZ

2SK3377(0)-Z-E1-AZ

참조 용

부품 번호 2SK3377(0)-Z-E1-AZ
PNEDA 부품 번호 2SK3377-0-Z-E1-AZ
설명 TRANSISTOR
제조업체 Renesas Electronics America
단가
1 ---------- $1.0004
500 ---------- $0.9536
1,000 ---------- $0.9067
2,500 ---------- $0.8598
5,000 ---------- $0.8207
10,000 ---------- $0.7816
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2SK3377(0)-Z-E1-AZ 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK3377(0)-Z-E1-AZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
2SK3377(0)-Z-E1-AZ, 2SK3377(0)-Z-E1-AZ 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 264.44 KB)
PDF2SK3377-Z-E2-AZ 데이터 시트 표지
2SK3377-Z-E2-AZ 데이터 시트 페이지 2 2SK3377-Z-E2-AZ 데이터 시트 페이지 3 2SK3377-Z-E2-AZ 데이터 시트 페이지 4 2SK3377-Z-E2-AZ 데이터 시트 페이지 5 2SK3377-Z-E2-AZ 데이터 시트 페이지 6 2SK3377-Z-E2-AZ 데이터 시트 페이지 7 2SK3377-Z-E2-AZ 데이터 시트 페이지 8 2SK3377-Z-E2-AZ 데이터 시트 페이지 9 2SK3377-Z-E2-AZ 데이터 시트 페이지 10

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  • 2SK3377(0)-Z-E1-AZ Distributor

2SK3377(0)-Z-E1-AZ 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형-
기술-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
공급자 장치 패키지-
패키지 / 케이스-

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1780pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta), 25W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

U-MOSVIII-H

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8800pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

45W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220SIS

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

H7N1002LS-E

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

155nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9700pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

100W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

4-LDPAK

패키지 / 케이스

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제조업체

STMicroelectronics

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 10V

Vgs (최대)

30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

95pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

45W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12.7A (Ta), 95A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 11.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2865pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.41W (Ta), 79W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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