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2SK4144(01)-S6-AZ

2SK4144(01)-S6-AZ

참조 용

부품 번호 2SK4144(01)-S6-AZ
PNEDA 부품 번호 2SK4144-01-S6-AZ
설명 TRANSISTOR
제조업체 Renesas Electronics America
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2SK4144(01)-S6-AZ 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK4144(01)-S6-AZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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  • 2SK4144(01)-S6-AZ Distributor

2SK4144(01)-S6-AZ 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형-
기술-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2315pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

TSM60NB041PW C1G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

78A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

41mOhm @ 21.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

139nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6120pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

446W (Tc)

작동 온도

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Through Hole

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

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20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

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FET 기능

-

전력 손실 (최대)

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20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

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Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

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