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2SK4221

2SK4221

참조 용

부품 번호 2SK4221
PNEDA 부품 번호 2SK4221
설명 MOSFET N-CH 500V 26A TO-3PB
제조업체 ON Semiconductor
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2SK4221 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK4221
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
2SK4221, 2SK4221 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 286.91 KB)
PDF2SK4221 데이터 시트 표지
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2SK4221 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)26A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs240mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs87nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2250pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.5W (Ta), 220W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-3PB
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

42A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1900pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

160W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

IXFK48N50

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

48A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

270nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-264AA (IXFK)

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

IRFL1006

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

220mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

160pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-223

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

C3M0075120J-TR

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

C3M™

FET 유형

N-Channel

기술

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

15V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 20A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

51nC @ 15V

Vgs (최대)

+15V, -4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1350pF @ 1000V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

113.6W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263-7

패키지 / 케이스

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

230W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

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Comchip Technology

DIODE GEN PURP 75V 150MA 0603

SP6205EM5-L-3-0

SP6205EM5-L-3-0

MaxLinear, Inc.

IC REG LINEAR 3V 500MA SOT23-5

BCP53-16T1G

BCP53-16T1G

ON Semiconductor

TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223

MT47H64M16NF-25E AIT:M

MT47H64M16NF-25E AIT:M

Micron Technology Inc.

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

PC28F00AP30EFA

PC28F00AP30EFA

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA