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3EZ4.7D5E3/TR8

3EZ4.7D5E3/TR8

참조 용

부품 번호 3EZ4.7D5E3/TR8
PNEDA 부품 번호 3EZ4-7D5E3-TR8
설명 DIODE ZENER 4.7V 3W DO204AL
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 4,734
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

3EZ4.7D5E3/TR8 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호3EZ4.7D5E3/TR8
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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3EZ4.7D5E3/TR8 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)4.7V
공차±5%
전력-최대3W
임피던스 (최대) (Zzt)4 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr20µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

14.7V

공차

±6.12%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 11V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

BZD17C100P R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

100V

공차

±6%

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 75V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

BZW03D150-TAP

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

150V

공차

±10%

전력-최대

1.85W

임피던스 (최대) (Zzt)

330 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 110V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SOD-64, Axial

공급자 장치 패키지

SOD-64

PZU3.3B1,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±2%

전력-최대

310mW

임피던스 (최대) (Zzt)

95 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-90, SOD-323F

공급자 장치 패키지

SOD-323F

KDZVTR10B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

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전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

-

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

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