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3LN01S-TL-E

3LN01S-TL-E

참조 용

부품 번호 3LN01S-TL-E
PNEDA 부품 번호 3LN01S-TL-E
설명 MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

3LN01S-TL-E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호3LN01S-TL-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
3LN01S-TL-E, 3LN01S-TL-E 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 256.8 KB)
PDF3LN01S-TL-E 데이터 시트 표지
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  • 3LN01S-TL-E Distributor

3LN01S-TL-E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)150mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.7Ohm @ 80mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.58nC @ 10V
Vgs (최대)±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)150mW (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SMCP
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

243nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11825pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

254W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263AB

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AUIRL7766M2TR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 31A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

66nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5305pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 62.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DIRECTFET™ M4

패키지 / 케이스

DirectFET™ Isometric M4

SIB800EDK-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

LITTLE FOOT®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

225mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.7nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±6V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 손실 (최대)

1.1W (Ta), 3.1W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-75-6L Single

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-75-6L

SIHP10N40D-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

400V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

600mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

526pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

147W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1685pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

550mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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