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42108HS

42108HS

참조 용

부품 번호 42108HS
PNEDA 부품 번호 42108HS
설명 RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,042
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

42108HS 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호42108HS
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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  • 42108HS Distributor

42108HS 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

8.5dB

전력-최대

5W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

750mA

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

DME400A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3V

주파수-전환

14GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 2GHz

이득

-

전력-최대

90mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 20mA, 2V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-623F

공급자 장치 패키지

3-SuperMiniMold (M03)

2SC5226A-5-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

이득

12dB

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

135 @ 20mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

3-MCP

BFP640FESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

4.7V

주파수-전환

46GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz

이득

8B ~ 30.5dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 30mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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