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4N33M

4N33M

참조 용

부품 번호 4N33M
PNEDA 부품 번호 4N33M
설명 OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 77,859
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

4N33M 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호4N33M
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
4N33M, 4N33M 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 399.52 KB)
PDF4N29TVM 데이터 시트 표지
4N29TVM 데이터 시트 페이지 2 4N29TVM 데이터 시트 페이지 3 4N29TVM 데이터 시트 페이지 4 4N29TVM 데이터 시트 페이지 5 4N29TVM 데이터 시트 페이지 6 4N29TVM 데이터 시트 페이지 7 4N29TVM 데이터 시트 페이지 8 4N29TVM 데이터 시트 페이지 9 4N29TVM 데이터 시트 페이지 10 4N29TVM 데이터 시트 페이지 11

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  • 4N33M Distributor

4N33M 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
채널 수1
전압-절연4170Vrms
전류 전송 비율 (최소)500% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대)-
켜기 / 끄기 시간 (일반)5µs, 100µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반)-
입력 유형DC
출력 유형Darlington with Base
전압-출력 (최대)30V
전류-출력 / 채널150mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대)80mA
Vce 포화 (최대)1V
작동 온도-40°C ~ 100°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지6-DIP

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Everlight Electronics Co Ltd

제조업체

Everlight Electronics Co Ltd

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

160% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

320% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

5µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

200mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

4-SSOP

CNY117F-3

Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

200% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 2.3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 2µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.39V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

PS2381-1Y-L-AX

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

NEPOC

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

300% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

4µs, 5µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.1V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-40°C ~ 115°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-LSOP (2.54mm)

TLP120(GB,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 3µs

입력 유형

AC, DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.15V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD (4 Leads), Gull Wing

공급자 장치 패키지

6-MFSOP, 4 Lead

TLP293(BL-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

200% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)

공급자 장치 패키지

4-SO

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