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4N35TM

4N35TM

참조 용

부품 번호 4N35TM
PNEDA 부품 번호 4N35TM
설명 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,400
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 18 - 6월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

4N35TM 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호4N35TM
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
4N35TM, 4N35TM 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 210.41 KB)
PDF4N37M_F132 데이터 시트 표지
4N37M_F132 데이터 시트 페이지 2 4N37M_F132 데이터 시트 페이지 3 4N37M_F132 데이터 시트 페이지 4 4N37M_F132 데이터 시트 페이지 5 4N37M_F132 데이터 시트 페이지 6 4N37M_F132 데이터 시트 페이지 7 4N37M_F132 데이터 시트 페이지 8 4N37M_F132 데이터 시트 페이지 9 4N37M_F132 데이터 시트 페이지 10 4N37M_F132 데이터 시트 페이지 11

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  • 4N35TM Distributor

4N35TM 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
채널 수1
전압-절연7500Vpk
전류 전송 비율 (최소)100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대)-
켜기 / 끄기 시간 (일반)2µs, 2µs
상승 / 하강 시간 (일반)-
입력 유형DC
출력 유형Transistor with Base
전압-출력 (최대)30V
전류-출력 / 채널-
전압-순방향 (Vf) (통상)1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대)60mA
Vce 포화 (최대)300mV
작동 온도-40°C ~ 100°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지6-DIP

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

4

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SO

H11B2S1(TB)

Everlight Electronics Co Ltd

제조업체

Everlight Electronics Co Ltd

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

200% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

25µs, 18µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington with Base

전압-출력 (최대)

55V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

1V

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

6-SMD

PS8502L2-AX

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

NEPOC

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

15% @ 16mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

220ns, 350ns

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

35V

전류-출력 / 채널

8mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.7V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

8-SMD

제조업체

CEL

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

2500Vrms

전류 전송 비율 (최소)

150% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

300% @ 1mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

40µs, 120µs

상승 / 하강 시간 (일반)

5µs, 10µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

40V

전류-출력 / 채널

40mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.1V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

4-Mini-Flat

EL817(M)(D))-VG

Everlight Electronics Co Ltd

제조업체

Everlight Electronics Co Ltd

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

300% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

6µs, 8µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

200mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

4-DIP

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