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4N36FR2M

4N36FR2M

참조 용

부품 번호 4N36FR2M
PNEDA 부품 번호 4N36FR2M
설명 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,874
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

4N36FR2M 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호4N36FR2M
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
4N36FR2M, 4N36FR2M 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 210.41 KB)
PDF4N37M_F132 데이터 시트 표지
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4N36FR2M 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
채널 수1
전압-절연7500Vpk
전류 전송 비율 (최소)100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대)-
켜기 / 끄기 시간 (일반)2µs, 2µs
상승 / 하강 시간 (일반)-
입력 유형DC
출력 유형Transistor with Base
전압-출력 (최대)30V
전류-출력 / 채널-
전압-순방향 (Vf) (통상)1.18V
전류-DC 순방향 (If) (최대)60mA
Vce 포화 (최대)300mV
작동 온도-55°C ~ 100°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지6-SMD

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전류 전송 비율 (최소)

15% @ 16mA

전류 전송 비율 (최대)

22% @ 16mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

200ns, 600ns

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

20V

전류-출력 / 채널

8mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.5V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

200% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.5V (Max)

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

MOC8104S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

160% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

256% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

2µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

1µs, 2µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.15V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

100mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

6-SMD

FODM8801C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

OptoHit™

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

200% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

400% @ 1mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

6µs, 6µs

상승 / 하강 시간 (일반)

5µs, 5.5µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

75V

전류-출력 / 채널

30mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.35V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

20mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

4-Mini-Flat

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제조업체

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전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

40% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

80% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

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상승 / 하강 시간 (일반)

2.4µs, 2.4µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.35V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

4-DIP

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