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4N38300W

4N38300W

참조 용

부품 번호 4N38300W
PNEDA 부품 번호 4N38300W
설명 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

4N38300W 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호4N38300W
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
4N38300W, 4N38300W 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 376.2 KB)
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  • 4N38300W Distributor

4N38300W 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
채널 수1
전압-절연5300Vrms
전류 전송 비율 (최소)20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대)-
켜기 / 끄기 시간 (일반)5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반)-
입력 유형DC
출력 유형Transistor with Base
전압-출력 (최대)80V
전류-출력 / 채널100mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대)80mA
Vce 포화 (최대)1V
작동 온도-55°C ~ 100°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지6-DIP

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Everlight Electronics Co Ltd

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채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

160% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

320% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

10µs, 9µs

상승 / 하강 시간 (일반)

6µs, 8µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.65V (Max)

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

HCPL-2530-000E

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

채널 수

2

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

7% @ 16mA

전류 전송 비율 (최대)

50% @ 16mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

200ns, 1.3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

20V

전류-출력 / 채널

8mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.5V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

HCPL-053L

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

채널 수

2

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

19% @ 16mA

전류 전송 비율 (최대)

50% @ 16mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

200ns, 600ns

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

7V

전류-출력 / 채널

8mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.5V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

5962-9085401HPC

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

1500VDC

전류 전송 비율 (최소)

9% @ 16mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

400ns, 1µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

20V

전류-출력 / 채널

8mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.55V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

20mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

4N31W

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

5µs, 40µs (Max)

상승 / 하강 시간 (일반)

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입력 유형

DC

출력 유형

Darlington with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

150mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

80mA

Vce 포화 (최대)

1.2V

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

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