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50MT060ULS

50MT060ULS

참조 용

부품 번호 50MT060ULS
PNEDA 부품 번호 50MT060ULS
설명 IGBT UFAST 600V 100A MTP
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 5,994
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

50MT060ULS 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호50MT060ULS
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
50MT060ULS, 50MT060ULS 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 199.93 KB)
PDF50MT060ULS 데이터 시트 표지
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  • 50MT060ULS Distributor

50MT060ULS 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형-
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전력-최대445W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.55V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce14.7nF @ 30V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스10-MTP
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29A

전력-최대

100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

600µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.1nF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1000A

전력-최대

5800W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.5V @ 15V, 1000A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

200nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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Powerex Inc.

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Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

800A

전력-최대

4800W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 800A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

180nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

680W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Powerex Inc.

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Powerex Inc.

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IGBTMOD™

IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

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1mA

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