50WQ03FN
참조 용
| 부품 번호 | 50WQ03FN |
| PNEDA 부품 번호 | 50WQ03FN |
| 설명 | DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,956 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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50WQ03FN 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 50WQ03FN |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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- 50WQ03FN Distributor
50WQ03FN 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 30V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 5.5A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 460mV @ 5A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 3mA @ 30V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 공급자 장치 패키지 | D-Pak |
| 작동 온도-접합 | -40°C ~ 150°C |
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제조업체 Powerex Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 500A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2.25V @ 1500A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 3µs 전류-역방향 누설 @ Vr 50mA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 DO-200AB, B-PUK 공급자 장치 패키지 DO-200AB, B-PUK 작동 온도-접합 - |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 45V 전류-평균 정류 (Io) 30A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 700mV @ 30A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 45V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 TO-263AB 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 4A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.28V @ 4A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 3A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F 40pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 200mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 500mV @ 200mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 30µA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F 25pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-882 공급자 장치 패키지 CST2 작동 온도-접합 125°C (Max) |
