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55GN01CA-TB-E

55GN01CA-TB-E

참조 용

부품 번호 55GN01CA-TB-E
PNEDA 부품 번호 55GN01CA-TB-E
설명 RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,690
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

55GN01CA-TB-E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호55GN01CA-TB-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
55GN01CA-TB-E, 55GN01CA-TB-E 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 290.31 KB)
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55GN01CA-TB-E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)10V
주파수-전환4.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.9dB @ 1GHz
이득9.5dB
전력-최대200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대)70mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지3-CP

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이득

24dB

전력-최대

125mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15mA

작동 온도

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트랜지스터 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

55V

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

8.5dB ~ 10dB

전력-최대

125W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 300mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

2.5A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

55CT

공급자 장치 패키지

55CT

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

주파수-전환

650MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-92-3

UTV8100B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

주파수-전환

470MHz ~ 860MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

8.5dB ~ 9.5dB

전력-최대

290W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

55RT

공급자 장치 패키지

55RT

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

6V

주파수-전환

12GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

이득

7.5dB

전력-최대

125mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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